SSD走向国产化，不妨先从主控芯片谈起
时间：2021-09-14 14:08
谈到SSD主控，不少人想到的都是三星、Marvell、群联和慧荣等厂商，中国大年夜陆的存储芯片厂商固然起步较晚，却已经有了迎头赶上的趋势。今朝主流的SSD主控都在往PCIe上冲破，那么国产的主控芯片是否已经有了与国际大年夜厂争雄的实力呢？
英韧科技-RainierQX
2020年，英韧科技已经量产了12nm的PCIe 4.0 SSD主控芯片Rainier IG5236，近日更是宣布了Rainier系列的新品，也可以说是IG5236的低成本版本，同采取12nm FinFET工艺的PCIe 4.0主控芯片RainierQX（IG5220）。RainierQX采取PCIe 4.0 x 4接口，支撑NVMe 1.4。与IG5236比拟，除了采取DRAMless之外，RainierQX将8个NAND通道减为4个NAND通道，峰值功耗也从3W降低至2.5W。
RainierQX/Q /英韧科技
根据英韧科技给出的数据，固然少了几个NAND通道，但因为支撑到2400MT/s的NAND接口速度，是以该主控的次序读取峰值机能跨越7GB/s，次序写入机能跨越6GB/s，最大年夜支撑到4TB的SSD容量。英韧科技也为该芯片用上了专用的ECC筹划，应用4K LDPC技巧，为TLC和QLC颗粒供给优良的纠错才能。
DRAMless本身也是一种降低BOM成本和降低大年夜小的方法，跟着当前DRAM成本也在逐渐增长的情况，以DRAMless筹划打造高性价比的PCIe 4.0 SSD天然也成了首选。不过英韧科技也同步推出了带DRAM的筹划RainierQ（IG5221），该芯片可以集成16位最高8GB的DDR SDRAM，而采取该芯片的的SSD最大年夜支撑容量为8TB。
联芸科技-MAP1001-C
联芸科技基于NVMe 1.3技巧开辟了数款PCIe 3.0 x 4接口的主控芯片，包含DRAM芯片MAP1001-C与MAP1003-C，还有DRAMless的MAP1002-C和MAP1202-C。以上芯片均集成了联芸科技最新的Agile ECC技巧，做到了优良的纠错表示，同时与市情上的MLC、TLC和QLC颗粒进行了适配。
采取联芸MAP1001主控的海康威视SSD / 海康威视
这些芯片均采取28nm的制程，但只有MAP1001-C采取了八通道设计，并做到了最高3500MB/s的次序读取速度和3000MB/s的次序写入速度，最高支撑容量为8TB。DRAMless芯片嵌入了独特SRAM融合Smart Cache架构，以智能虚拟化缓存池进步读写速度并降低功耗。
忆芯科技-STAR1000P
忆芯科技于2017年推出了高端花费级/入门企业级的PCIe 3.0 NVMe SSD控制器STAR1000，并于2019年推出了该产品的第二代STAR1000P。STAR1000P不仅支撑到NVMe 1.3，也将最高次序读取速度从3GB/s晋升至3.5GB/s，次序写入速度也进步至3GB/s，随机写入和随机读取速度均可达到600K IOPS的峰值，满载下的功耗更是低至2W。
STAR1000P / 忆芯科技
STAR1000P采取了8通道的设计，最高支撑到32TB的SSD容量。不仅如斯，该芯片采取了Synopsys的ARC处理器HS38来做多核设计。据懂得，忆芯科技已经在开展下一代STAR2000主控芯片的开辟，将制程从28nm进级至12nm，并集成Synopsys的下一代ARC CPU。
泽石科技-神农Tensor
泽石科技在客岁推出了国内首款全国产宽温PCIe NVMe SSD IP104X/IP103X，这款SSD产品可以在-20~70℃/-15~70℃的温度范围下正常工作，异常合适工控范畴的存储应用。IP104X/IP103X采取了泽石科技自研的28nm PCIe 3.0主控芯片“神农Tensor”。该芯片采取了PCIe 3.0 x 4接口，支撑NVMe 1.3和8通道，适配SLC、MLC、TLC和QLC闪存颗粒。
IP104X/IP103X / 泽石科技
基于神农Tensor开辟的SSD最高次序读取速度达3.5GB/s，次序写入速度达到3.0GB/s，最高支撑16TB的容量。此外，该芯片还支撑自行选择DDR和DRAMless设计，比如其IP104X/IP103X产品就搭载了长鑫的DDR4缓存。在加密算法上，不仅支撑硬件SHA256/RSA2048/TRNG等加密算法，也支撑到国密一级的安然防护。
结语
从以上产品来看，国产SSD主控芯片中已经做到了PCIe 4.0和7GB/s以上的只有英韧科技，结合长江存储的闪存，已经可以做到媲美其他高端SSD产品的机能。而其余的国产厂商也在加紧追赶，尚在PCIe 3.0转4.0的过渡阶段。还有的厂商也在主攻SATA的SSD主控，或是在企业级或工业级SSD市场寻求冲破。但可以肯定的是，在威刚、嘉合劲威、海康威视和七彩虹等厂商的眼中，国产主控芯片已然成了合格的备选。
英韧科技-RainierQX
2020年，英韧科技已经量产了12nm的PCIe 4.0 SSD主控芯片Rainier IG5236，近日更是宣布了Rainier系列的新品，也可以说是IG5236的低成本版本，同采取12nm FinFET工艺的PCIe 4.0主控芯片RainierQX（IG5220）。RainierQX采取PCIe 4.0 x 4接口，支撑NVMe 1.4。与IG5236比拟，除了采取DRAMless之外，RainierQX将8个NAND通道减为4个NAND通道，峰值功耗也从3W降低至2.5W。
RainierQX/Q /英韧科技
根据英韧科技给出的数据，固然少了几个NAND通道，但因为支撑到2400MT/s的NAND接口速度，是以该主控的次序读取峰值机能跨越7GB/s，次序写入机能跨越6GB/s，最大年夜支撑到4TB的SSD容量。英韧科技也为该芯片用上了专用的ECC筹划，应用4K LDPC技巧，为TLC和QLC颗粒供给优良的纠错才能。
DRAMless本身也是一种降低BOM成本和降低大年夜小的方法，跟着当前DRAM成本也在逐渐增长的情况，以DRAMless筹划打造高性价比的PCIe 4.0 SSD天然也成了首选。不过英韧科技也同步推出了带DRAM的筹划RainierQ（IG5221），该芯片可以集成16位最高8GB的DDR SDRAM，而采取该芯片的的SSD最大年夜支撑容量为8TB。
联芸科技-MAP1001-C
联芸科技基于NVMe 1.3技巧开辟了数款PCIe 3.0 x 4接口的主控芯片，包含DRAM芯片MAP1001-C与MAP1003-C，还有DRAMless的MAP1002-C和MAP1202-C。以上芯片均集成了联芸科技最新的Agile ECC技巧，做到了优良的纠错表示，同时与市情上的MLC、TLC和QLC颗粒进行了适配。
采取联芸MAP1001主控的海康威视SSD / 海康威视
这些芯片均采取28nm的制程，但只有MAP1001-C采取了八通道设计，并做到了最高3500MB/s的次序读取速度和3000MB/s的次序写入速度，最高支撑容量为8TB。DRAMless芯片嵌入了独特SRAM融合Smart Cache架构，以智能虚拟化缓存池进步读写速度并降低功耗。
忆芯科技-STAR1000P
忆芯科技于2017年推出了高端花费级/入门企业级的PCIe 3.0 NVMe SSD控制器STAR1000，并于2019年推出了该产品的第二代STAR1000P。STAR1000P不仅支撑到NVMe 1.3，也将最高次序读取速度从3GB/s晋升至3.5GB/s，次序写入速度也进步至3GB/s，随机写入和随机读取速度均可达到600K IOPS的峰值，满载下的功耗更是低至2W。
STAR1000P / 忆芯科技
STAR1000P采取了8通道的设计，最高支撑到32TB的SSD容量。不仅如斯，该芯片采取了Synopsys的ARC处理器HS38来做多核设计。据懂得，忆芯科技已经在开展下一代STAR2000主控芯片的开辟，将制程从28nm进级至12nm，并集成Synopsys的下一代ARC CPU。
泽石科技-神农Tensor
泽石科技在客岁推出了国内首款全国产宽温PCIe NVMe SSD IP104X/IP103X，这款SSD产品可以在-20~70℃/-15~70℃的温度范围下正常工作，异常合适工控范畴的存储应用。IP104X/IP103X采取了泽石科技自研的28nm PCIe 3.0主控芯片“神农Tensor”。该芯片采取了PCIe 3.0 x 4接口，支撑NVMe 1.3和8通道，适配SLC、MLC、TLC和QLC闪存颗粒。
IP104X/IP103X / 泽石科技
基于神农Tensor开辟的SSD最高次序读取速度达3.5GB/s，次序写入速度达到3.0GB/s，最高支撑16TB的容量。此外，该芯片还支撑自行选择DDR和DRAMless设计，比如其IP104X/IP103X产品就搭载了长鑫的DDR4缓存。在加密算法上，不仅支撑硬件SHA256/RSA2048/TRNG等加密算法，也支撑到国密一级的安然防护。
结语
从以上产品来看，国产SSD主控芯片中已经做到了PCIe 4.0和7GB/s以上的只有英韧科技，结合长江存储的闪存，已经可以做到媲美其他高端SSD产品的机能。而其余的国产厂商也在加紧追赶，尚在PCIe 3.0转4.0的过渡阶段。还有的厂商也在主攻SATA的SSD主控，或是在企业级或工业级SSD市场寻求冲破。但可以肯定的是，在威刚、嘉合劲威、海康威视和七彩虹等厂商的眼中，国产主控芯片已然成了合格的备选。